InP, Growing Method: VGF(100) Zn doped,3 " x 0.625mm, wafer, 1sp

InP single crystal wafer
Orientation:                      (100)+/- 0.5 degree
Primary Flat:                    US(01-1)+/-0.5 degree
Secondary Flat:                  US(011)
Size:                                3" diameter x 0.625 mm

Growing Method:               VGF
Doping:                            Zn doped
Conducting type:               S-C
Polish:                              one side  polished

Resistivity:                        (4.19-4.73)E-2 ohm.cm

Mobility:                           72-74 cmE2/V.S
EPD:                                <5000 /cmE2Carrier
Concerntration:                 (1.79-2.07)E18 /cmE-3
Ra(Average Roughness) :  < 0.4 nm